相對于傳統(tǒng)的KD*P 電光調(diào)制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數(shù)，弱的壓電振鈴效應(yīng)，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優(yōu)點(diǎn)。相對于RTP 電光調(diào)制晶體，BBO 晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應(yīng)性，有利于提高激光輸出功率的穩(wěn)定性。
因此，由BBO 晶體制成的電光Q 開關(guān)常被應(yīng)用于高重復(fù)頻率（1MHz），高功率（高達(dá)1000W）的電光調(diào)Q 固體激光器，腔倒空調(diào)Q 激光器和全固態(tài)皮秒、飛秒再生放大激光系統(tǒng)中，我們也提供配套的調(diào)制、調(diào)Q、選單、再生放大等驅(qū)動電源。由于電光Q 開關(guān)的關(guān)斷時(shí)間（<4ns）遠(yuǎn)短于聲光Q 開關(guān)的關(guān)斷時(shí)間（<100ns），因此，采用BBO 電光 Q 開關(guān)的全固態(tài)短腔調(diào)Q激光器可產(chǎn)生脈沖寬度小于4ns 的高能激光，是作為電光內(nèi)雕機(jī)的首選光源。在無需水冷的情況下，BBO 電光Q 開關(guān)可關(guān)斷并承受高達(dá)150W 的腔內(nèi)振蕩光功率（激光輸出功率高達(dá)50W）。
BBO 晶體缺點(diǎn)是電光系數(shù)小，半波電壓相對較高，因此可通過增長晶體長度、減少電極間距，以及采用兩塊BBO 晶體串聯(lián)方式來減少半波電壓和四分之波電壓。